Transistor bipolar 2SD667
Características del transistor 2SD667
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.9 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 320
- Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-92MOD
Diagrama de pines del 2SD667
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD667
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