Transistor bipolar 2SD789

Características del transistor 2SD789

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.9 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 800
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92MOD

Diagrama de pines del 2SD789

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD789 puede tener una ganancia de corriente de 100 a 800. La ganancia del 2SD789-B estará en el rango de 100 a 200, para el 2SD789-C estará en el rango de 160 a 320, para el 2SD789-D estará en el rango de 250 a 500, para el 2SD789-E estará en el rango de 400 a 800.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD789 puede estar marcado sólo como "D789".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD789 es el 2SB740.
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