Transistor bipolar 2SD789-E

Características del transistor 2SD789-E

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.9 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 400 a 800
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92MOD

Diagrama de pines del 2SD789-E

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD789-E puede tener una ganancia de corriente de 400 a 800. La ganancia del 2SD789 estará en el rango de 100 a 800, para el 2SD789-B estará en el rango de 100 a 200, para el 2SD789-C estará en el rango de 160 a 320, para el 2SD789-D estará en el rango de 250 a 500.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD789-E puede estar marcado sólo como "D789-E".
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