Transistor bipolar 2SB600

Características del transistor 2SB600

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -200 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2SB600

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB600 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 200. La ganancia del 2SB600-Q estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB600-R estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB600-S estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB600 puede estar marcado sólo como "B600".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB600 es el 2SD555.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB600

Puede sustituir el 2SB600 por el 2SA909, 2SB706A o 2SB723.
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