Transistor bipolar 2SB826-S

Características del transistor 2SB826-S

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 140 a 280
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB826-S

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB826-S puede tener una ganancia de corriente de 140 a 280. La ganancia del 2SB826 estará en el rango de 70 a 280, para el 2SB826-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SB826-R estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB826-S puede estar marcado sólo como "B826-S".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB826-S es el 2SD1062-S.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB826-S

Puede sustituir el 2SB826-S por el 2SA1744, 2SB1136, 2SB1136-S, BD546A, BD546B, BD546C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86 o BDT86F.
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