Transistor bipolar 2SB1186A-D

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -160 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
• Disipación de Potencia Máxima: 20 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 60 a 120
• Frecuencia máxima de trabajo: 50 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220F

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB1186A-D puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SB1186A estará en el rango de 60 a 200, para el 2SB1186A-E estará en el rango de 100 a 200.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1186A-D puede estar marcado sólo como "B1186A-D".El transistor NPN complementario del 2SB1186A-D es el 2SD1763A-E.Puede sustituir el 2SB1186A-D por el 2SA1006, 2SA1006-R, 2SA1006A, 2SA1006A-R, 2SA1006B, 2SA1006B-R, 2SA1011, 2SA1011D, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1964, 2SA1964-D, 2SB630, 2SB630-R, 2SB940A, 2SB940A-Q, FJP1943, FJPF1943, MJE15033, MJE15033G, MJE5850 o MJE5850G.