Transistor bipolar 2SA1006B-R

Características del transistor 2SA1006B-R

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -250 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -250 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Frecuencia máxima de trabajo: 80 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SA1006B-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA1006B-R puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SA1006B estará en el rango de 60 a 320, para el 2SA1006B-P estará en el rango de 160 a 320, para el 2SA1006B-Q estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA1006B-R puede estar marcado sólo como "A1006B-R".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA1006B-R es el 2SC2336B-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA1006B-R

Puede sustituir el 2SA1006B-R por el 2SA1009, 2SA1009-J, 2SA1009A, 2SA1009A-J, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 o MJE5852G.
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