Transistor bipolar 2SB1116A-L

Características del transistor 2SB1116A-L

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.75 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 135 a 270
  • Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del 2SB1116A-L

El 2SB1116A-L se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, el colector y la base.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1116A-L puede tener una ganancia de corriente de 135 a 270. La ganancia del 2SB1116A estará en el rango de 135 a 400, para el 2SB1116A-K estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB1116A-U estará en el rango de 300 a 600.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1116A-L puede estar marcado sólo como "B1116A-L".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1116A-L es el 2SD1616A-L.

Versión SMD del transistor 2SB1116A-L

El 2SB1115A (SOT-89), 2SB1115A-YQ (SOT-89), FMMT591 (SOT-23) y FMMT591Q (SOT-23) es la versión SMD del transistor 2SB1116A-L.

Transistor 2SB1116A-L en envase TO-92

El KSB1116A-Y es la versión TO-92 del 2SB1116A-L.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1116A-L

Puede sustituir el 2SB1116A-L por el 2SA1283, 2SB647, KSB1116A o KSB1116A-Y.
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