Transistor bipolar 2SB1115A-YQ

Características del transistor 2SB1115A-YQ

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 135 a 270
  • Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SB1115A-YQ

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1115A-YQ puede tener una ganancia de corriente de 135 a 270. La ganancia del 2SB1115A estará en el rango de 135 a 400, para el 2SB1115A-YP estará en el rango de 200 a 400.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1115A-YQ puede estar marcado sólo como "B1115A-YQ".

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1115A-YQ

Puede sustituir el 2SB1115A-YQ por el 2SA1364, BSR31 o BSR33.
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