Transistor bipolar 2SA1006B-P

Características del transistor 2SA1006B-P

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -250 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -250 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 320
  • Frecuencia máxima de trabajo: 80 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SA1006B-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA1006B-P puede tener una ganancia de corriente de 160 a 320. La ganancia del 2SA1006B estará en el rango de 60 a 320, para el 2SA1006B-Q estará en el rango de 100 a 200, para el 2SA1006B-R estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA1006B-P puede estar marcado sólo como "A1006B-P".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA1006B-P es el 2SC2336B-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA1006B-P

Puede sustituir el 2SA1006B-P por el MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 o MJE5852G.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com