Bipolartransistor 2N5550

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5550

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.6 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2N5550

Der 2N5550 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5550 ist der 2N5400.

SMD-Version des Transistors 2N5550

Der KST5550 (SOT-23), MMBT5550 (SOT-23) und PMBT5550 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N5550-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5550

Sie können den Transistor 2N5550 durch einen 2N5833, 2SC1009 oder KSC1009 ersetzen.
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