Bipolartransistor MPSA13G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPSA13G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 5000
  • Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Der MPSA13G ist die bleifreie Version des MPSA13-Transistors

Pinbelegung des MPSA13G

Der MPSA13G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors MPSA13G

Der KST13 (SOT-23), KST14 (SOT-23), MMBTA13 (SOT-23), MMBTA14 (SOT-23), PMBTA13 (SOT-23), PMBTA14 (SOT-23), PZTA13 (SOT-223) und PZTA14 (SOT-223) ist die SMD-Version des MPSA13G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPSA13G

Sie können den Transistor MPSA13G durch einen 2N6426, 2N6427, KSP13, KSP14, MPSA13, MPSA14, MPSW13, MPSW14, MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG oder MPSW45G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com