Bipolartransistor 2N6426
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6426
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 12 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.625 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30000 bis 300000
- Rauschzahl, max: 3 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2N6426
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
SMD-Version des Transistors 2N6426
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6426
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