Bipolartransistor MPS8050S-B

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 85 bis 160
• Übergangsfrequenz, min: 190 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23
• Electrically Similar to the Popular MPS8050B transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor MPS8050S-B kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des MPS8050S liegt im Bereich von 85 bis 300, die des MPS8050S-C im Bereich von 120 bis 200, die des MPS8050S-D im Bereich von 160 bis 300.Der MPS8050S-B-Transistor ist als "BHB" gekennzeichnet.Der komplementäre PNP-Transistor zum MPS8050S-B ist der MPS8550S-B.Der MPS8050B ist die TO-92-Version des MPS8050S-B.