Bipolartransistor MJ11022G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11022G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 175 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ11022G ist die bleifreie Version des MJ11022-Transistors

Pinbelegung des MJ11022G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ11022G ist der MJ11021G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11022G

Sie können den Transistor MJ11022G durch einen 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, MJ11022 oder MJ12022 ersetzen.
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