Bipolartransistor MJ11022G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11022G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 50 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
- Verlustleistung, max: 175 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
- Der MJ11022G ist die bleifreie Version des MJ11022-Transistors
Pinbelegung des MJ11022G
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11022G
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