Bipolartransistor MJ11022

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11022

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 175 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ11022

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ11022 ist der MJ11021.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11022

Sie können den Transistor MJ11022 durch einen 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, MJ11022G oder MJ12022 ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJ11022G-Transistor ist die bleifreie Version des MJ11022.
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