Bipolartransistor M28S-D
Elektrische Eigenschaften des Transistors M28S-D
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 0.625 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 650 bis 1000
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des M28S-D
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Ersatz und Äquivalent für Transistor M28S-D
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