Bipolartransistor M28S-B

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 300 bis 550
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der M28S-B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor M28S-B kann eine Gleichstromverstärkung von 300 bis 550 haben. Die Gleichstromverstärkung des M28S liegt im Bereich von 300 bis 1000, die des M28S-C im Bereich von 500 bis 700, die des M28S-D im Bereich von 650 bis 1000.Sie können den Transistor M28S-B durch einen MPS650, MPS650G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG oder MPSW01G ersetzen.