Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3211Y
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KTC3211Y
Der KTC3211Y wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTC3211Y kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3211 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des KTC3211GR im Bereich von 160 bis 300, die des KTC3211O im Bereich von 85 bis 160.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC3211Y ist der KTA1283Y.
SMD-Version des Transistors KTC3211Y
Der FMMT449 (SOT-23), MPS8050S (SOT-23) und MPS8050S-C (SOT-23) ist die SMD-Version des KTC3211Y-Transistors.
