Bipolartransistor KTC3211O

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 85 bis 160
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der KTC3211O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KTC3211O kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3211 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des KTC3211GR im Bereich von 160 bis 300, die des KTC3211Y im Bereich von 120 bis 200.Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC3211O ist der KTA1283O.Der MPS8050S (SOT-23) und MPS8050S-B (SOT-23) ist die SMD-Version des KTC3211O-Transistors.Sie können den Transistor KTC3211O durch einen 2SC2655 oder KTC3209 ersetzen.