Bipolartransistor KTA1283O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTA1283O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KTA1283O

Der KTA1283O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTA1283O kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTA1283 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des KTA1283GR im Bereich von 160 bis 300, die des KTA1283Y im Bereich von 120 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTA1283O ist der KTC3211O.

SMD-Version des Transistors KTA1283O

Der MMBT3702 (SOT-23), MPS8550S (SOT-23) und MPS8550S-B (SOT-23) ist die SMD-Version des KTA1283O-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTA1283O

Sie können den Transistor KTA1283O durch einen 2SA1020 oder KTA1281 ersetzen.
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