Bipolartransistor KTC4375

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC4375

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des KTC4375

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC4375 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC4375O liegt im Bereich von 100 bis 200, die des KTC4375Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC4375 ist der KTA1663.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC4375

Sie können den Transistor KTC4375 durch einen 2SD1623 oder 2SD1624 ersetzen.
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