Elektrische Eigenschaften des Transistors KTA1282Y
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KTA1282Y
Der KTA1282Y wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTA1282Y kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTA1282 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des KTA1282O im Bereich von 100 bis 200.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum KTA1282Y ist der KTC3210Y.