Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE13009LH2
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
Verlustleistung, max: 120 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 28
Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des KSE13009LH2
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSE13009LH2 kann eine Gleichstromverstärkung von 15 bis 28 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13009L liegt im Bereich von 8 bis 40, die des KSE13009LH1 im Bereich von 8 bis 17.
Kennzeichnung
Der KSE13009LH2-Transistor ist als "E13009L-2" gekennzeichnet.