Bipolartransistor 2SC2751

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2751

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 500 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 80
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SC2751

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2751 kann eine Gleichstromverstärkung von 15 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2751-N liegt im Bereich von 15 bis 30, die des 2SC2751-O im Bereich von 30 bis 60, die des 2SC2751-R im Bereich von 20 bis 40, die des 2SC2751-Y im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2751-Transistor könnte nur mit "C2751" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC2751

Sie können den Transistor 2SC2751 durch einen 2SC3320 ersetzen.
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