Bipolartransistor KSE13009LH1
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE13009LH1
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
- Verlustleistung, max: 120 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 8 bis 17
- Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des KSE13009LH1
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSE13009LH1
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