Bipolartransistor KSE13009LH1

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE13009LH1

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8 bis 17
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des KSE13009LH1

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSE13009LH1 kann eine Gleichstromverstärkung von 8 bis 17 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13009L liegt im Bereich von 8 bis 40, die des KSE13009LH2 im Bereich von 15 bis 28.

Kennzeichnung

Der KSE13009LH1-Transistor ist als "E13009L-1" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSE13009LH1

Sie können den Transistor KSE13009LH1 durch einen 2SC3995, 2SC3996, 2SC3997 oder 2SC3998 ersetzen.
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