Bipolartransistor KSE13009L

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
• Verlustleistung, max: 120 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 8 bis 40
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P
• Electrically Similar to the Popular MJE13009 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSE13009L kann eine Gleichstromverstärkung von 8 bis 40 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13009LH1 liegt im Bereich von 8 bis 17, die des KSE13009LH2 im Bereich von 15 bis 28.Der KSE13009L-Transistor ist als "E13009L" gekennzeichnet.