Bipolartransistor KSC2688-G

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC2688-G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SC2688-K transistor

Pinbelegung des KSC2688-G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC2688-G kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC2688 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des KSC2688-O im Bereich von 60 bis 120, die des KSC2688-R im Bereich von 40 bis 80, die des KSC2688-Y im Bereich von 100 bis 200.

SMD-Version des Transistors KSC2688-G

Der FMMTA42 (SOT-23) und PMBTA42 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC2688-G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC2688-G

Sie können den Transistor KSC2688-G durch einen 2N5656, 2N5656G, 2N5657, 2N5657G, 2SC2688, 2SC2688-K, 2SC2899, 2SC4212, BD128, BD129, BUX86 oder BUX87 ersetzen.
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