Bipolartransistor KSC2688-G
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC2688-G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
- Verlustleistung, max: 10 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 250
- Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SC2688-K transistor
Pinbelegung des KSC2688-G
Klassifizierung von hFE
SMD-Version des Transistors KSC2688-G
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC2688-G
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