Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC2316O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
Verlustleistung, max: 0.9 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSC2316O
Der KSC2316O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC2316O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC2316 liegt im Bereich von 80 bis 240, die des KSC2316Y im Bereich von 120 bis 240.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC2316O ist der KSA916O.
SMD-Version des Transistors KSC2316O
Der 2SC2881 (SOT-89), 2SC2881-O (SOT-89), KTC4373 (SOT-89) und KTC4373O (SOT-89) ist die SMD-Version des KSC2316O-Transistors.
