Bipolartransistor KSA916O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA916O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSA916O

Der KSA916O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA916O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA916 liegt im Bereich von 80 bis 240, die des KSA916Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA916O ist der KSC2316O.

SMD-Version des Transistors KSA916O

Der 2SA1201 (SOT-89), 2SA1201-O (SOT-89), KTA1661 (SOT-89) und KTA1661O (SOT-89) ist die SMD-Version des KSA916O-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA916O

Sie können den Transistor KSA916O durch einen 2SA1013, 2SA1275, 2SA965, 2SA965-O, KSA1013, KTA1023, KTA1023-O, KTA1023-Y oder KTA1275 ersetzen.
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