Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1506-R
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
Verlustleistung, max: 0.7 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSC1506-R
Der KSC1506-R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC1506-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1506 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des KSC1506-O im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1506-Y im Bereich von 120 bis 240.
SMD-Version des Transistors KSC1506-R
Der 2SC4497 (SOT-23), 2SC4497-R (SOT-23) und PMBTA42 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC1506-R-Transistors.
