Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1506-O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
Verlustleistung, max: 0.7 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSC1506-O
Der KSC1506-O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC1506-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1506 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des KSC1506-R im Bereich von 40 bis 80, die des KSC1506-Y im Bereich von 120 bis 240.
SMD-Version des Transistors KSC1506-O
Der 2SC4497 (SOT-23), 2SC4497-O (SOT-23), BF620 (SOT-89), BF820 (SOT-23) und PMBTA42 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC1506-O-Transistors.
