Bipolartransistor 2SC2551

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2551

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC2551

Der 2SC2551 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2551 kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2551-O liegt im Bereich von 50 bis 150, die des 2SC2551-R im Bereich von 30 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2551-Transistor könnte nur mit "C2551" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2551 ist der 2SA1091.

SMD-Version des Transistors 2SC2551

Der 2SC4497 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC2551-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC2551

Sie können den Transistor 2SC2551 durch einen 2N6517C oder 2SC2482 ersetzen.
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