Bipolartransistor KSC1506-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1506-Y

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.7 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSC1506-Y

Der KSC1506-Y wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC1506-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1506 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des KSC1506-O im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1506-R im Bereich von 40 bis 80.

SMD-Version des Transistors KSC1506-Y

Der BF620 (SOT-89), BF820 (SOT-23) und PMBTA42 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC1506-Y-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC1506-Y

Sie können den Transistor KSC1506-Y durch einen 2SC3468, KSC2330 oder KSC2330Y ersetzen.
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