Bipolartransistor FJX945O

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJX945O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Rauschzahl, max: 4 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des FJX945O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJX945O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJX945 liegt im Bereich von 70 bis 700, die des FJX945G im Bereich von 200 bis 400, die des FJX945L im Bereich von 350 bis 700, die des FJX945Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Der FJX945O-Transistor ist als "SAO" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum FJX945O ist der FJX733O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJX945O

Sie können den Transistor FJX945O durch einen 2SC4116 oder 2SC4116-O ersetzen.
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