Bipolartransistor FJX733L

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJX733L

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 350 bis 700
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Rauschzahl, max: 2.8 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des FJX733L

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJX733L kann eine Gleichstromverstärkung von 350 bis 700 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJX733 liegt im Bereich von 40 bis 700, die des FJX733G im Bereich von 200 bis 400, die des FJX733O im Bereich von 70 bis 140, die des FJX733R im Bereich von 40 bis 80, die des FJX733Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Der FJX733L-Transistor ist als "SBL" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum FJX733L ist der FJX945L.
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