Bipolartransistor PBHV8115T

Elektrische Eigenschaften des Transistors PBHV8115T

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
Verlustleistung, max: 0.3 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 100
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des PBHV8115T

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der PBHV8115T-Transistor ist als "W6" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum PBHV8115T ist der PBHV9115T.

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