Bipolartransistor FJAF4310O

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJAF4310O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des FJAF4310O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJAF4310O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJAF4310 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des FJAF4310R im Bereich von 50 bis 100, die des FJAF4310Y im Bereich von 90 bis 180.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum FJAF4310O ist der FJAF4210O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJAF4310O

Sie können den Transistor FJAF4310O durch einen 2SC4388, 2SC4388-P, 2SC4886, 2SC4886-P, 2SC5101, 2SC5101-P, 2SC5359 oder 2SD1716 ersetzen.
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