Bipolartransistor FJAF4310

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJAF4310

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des FJAF4310

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJAF4310 kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJAF4310O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des FJAF4310R im Bereich von 50 bis 100, die des FJAF4310Y im Bereich von 90 bis 180.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum FJAF4310 ist der FJAF4210.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJAF4310

Sie können den Transistor FJAF4310 durch einen 2SC4388, 2SC4886 oder 2SC5101 ersetzen.
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