Bipolartransistor FJAF4310R

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJAF4310R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des FJAF4310R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJAF4310R kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJAF4310 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des FJAF4310O im Bereich von 70 bis 140, die des FJAF4310Y im Bereich von 90 bis 180.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum FJAF4310R ist der FJAF4210R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJAF4310R

Sie können den Transistor FJAF4310R durch einen 2SC4388, 2SC4388-O, 2SC4886, 2SC4886-O, 2SC5101 oder 2SC5101-O ersetzen.
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