Bipolartransistor FJAF4210O

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJAF4210O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des FJAF4210O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJAF4210O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJAF4210 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des FJAF4210R im Bereich von 50 bis 100, die des FJAF4210Y im Bereich von 90 bis 180.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum FJAF4210O ist der FJAF4310O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJAF4210O

Sie können den Transistor FJAF4210O durch einen 2SA1673, 2SA1673-P, 2SA1860, 2SA1860-P, 2SA1909, 2SA1909-P, 2SA1987 oder 2SB1161 ersetzen.
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