Bipolartransistor BDV64B

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
• Verlustleistung, max: 125 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-247

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum BDV64B ist der BDV65B.Sie können den Transistor BDV64B durch einen 2SB1560, 2SB1560-O, 2SB1560-P, 2SB1560-Y, 2SB887, BDV64BG, BDV66B, BDV66C, BDV66D, TIP147 oder TIP147G ersetzen.Der BDV64BG-Transistor ist die bleifreie Version des BDV64B.