Bipolartransistor BD435G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD435G

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 32 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 32 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
Verlustleistung, max: 36 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 130
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD435G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD435G

Sie können den Transistor BD435G durch einen 2N4921, 2N4921G, 2N4922, 2N4922G, BD187, BD189, BD435, BD437, BD437G, BD439, BD439G, BD785, BD787, BD787G, MJE220, MJE221, MJE222, MJE223, MJE224 oder MJE225 ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:

TO-3P package, BD250C: 125 watts
TO-126 package, BD435: 36 watts
TO-126 package, BD438: 36 watts
TO-126 package, BD438G: 36 watts
TO-126 package, BD441: 36 watts

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