Bipolartransistor BD435

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD435

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 32 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 32 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 36 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 130
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD435

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD435 ist der BD436.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD435

Sie können den Transistor BD435 durch einen 2N4921, 2N4921G, 2N4922, 2N4922G, BD187, BD189, BD435G, BD437, BD437G, BD439, BD439G, BD785, BD787, BD787G, MJE220, MJE221, MJE222, MJE223, MJE224 oder MJE225 ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-3P package, BD250C: 125 watts
  • TO-126 package, BD435G: 36 watts
  • TO-126 package, BD438: 36 watts
  • TO-126 package, BD438G: 36 watts
  • TO-126 package, BD441: 36 watts
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