Bipolartransistor TTC0001

Elektrische Eigenschaften des Transistors TTC0001

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 18 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des TTC0001

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum TTC0001 ist der TTA0001.

Ersatz und Äquivalent für Transistor TTC0001

Sie können den Transistor TTC0001 durch einen TTC0002 ersetzen.
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