Bipolartransistor TTC0001
Elektrische Eigenschaften des Transistors TTC0001
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 18 A
- Verlustleistung, max: 150 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des TTC0001
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor TTC0001
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