Bipolartransistor BDV67B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDV67B

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
Verlustleistung, max: 200 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des BDV67B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDV67B ist der BDV66B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDV67B

Sie können den Transistor BDV67B durch einen BDV67C oder BDV67D ersetzen.

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