Bipolartransistor BCX55-10

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCX55-10

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des BCX55-10

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BCX55-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCX55 liegt im Bereich von 63 bis 250, die des BCX55-16 im Bereich von 100 bis 250.

Kennzeichnung

Der BCX55-10-Transistor ist als "BG" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BCX55-10 ist der BCX52-10.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCX55-10

Sie können den Transistor BCX55-10 durch einen 2SC3444, BCX56 oder BCX56-10 ersetzen.
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