Bipolartransistor 2SD811

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD811

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 900 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SD811

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD811-Transistor könnte nur mit "D811" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD811

Sie können den Transistor 2SD811 durch einen 2N6673, 2N6678, 2SC2429, 2SC2429A, 2SC3044, 2SC3044A, 2SC3045, 2SC3058, 2SC3058A, 2SD821, 2SD822, 2SD871, BUX48, BUX48A, MJ12021, MJ12022, MJ16006, MJ16008, MJ8504 oder MJ8505 ersetzen.
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