Bipolartransistor 2N6673

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 650 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 150 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 10 bis 40
• Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor 2N6673 durch einen 2N6678, 2SC2429, 2SC2429A, 2SC3045, 2SC3058, 2SC3058A, BUX48, BUX48A, MJ12021, MJ12022, MJ16006, MJ16008, MJ8504 oder MJ8505 ersetzen.