Bipolartransistor 2SD325

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD325

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 35 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 8 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD325

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD325 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD325-C liegt im Bereich von 40 bis 80, die des 2SD325-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD325-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD325-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD325-Transistor könnte nur mit "D325" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD325 ist der 2SB511.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD325

Sie können den Transistor 2SD325 durch einen 2SC1061, 2SC1418, 2SC1419, 2SC1826, 2SC1985, 2SC3179, 2SC3851, 2SD313, 2SD330, BD201, BD203, BD239, BD239A, BD241, BD241A, BD243, BD243A, BD301, BD303, BD533, BD535, BD539, BD539A, BD735, BD737, BD795, BD797, BD807, BD949, BDT81 oder BDT81F ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com